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台湾首次自主设计:旺宏电子48层3D NAND闪存即将出货
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作者:
admin
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2019-12-19 12:51
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台湾首次自主设计:旺宏电子48层3D NAND闪存即将出货
原题目:台湾初次自立设计:旺宏电子48层3D NAND闪存行将出货
据悉,台湾非易失性存储厂商旺宏电子(Macronix)将在2020年下半年批量出货3D NAND闪存,成为台湾地域第一家拿出自立设计3D NAND闪存的厂商。
旺宏电子流露,首批出货的3D NAND闪存为48层重叠,并规划2021年出货96层,2022年再出货192层,迫近世界顶级程度。——Intel将在来岁量产144层闪存。
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今朝,旺宏电子已出货的最
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,先辈NAND闪存仍是2D平面型,用的19nm工艺,本年2月上市的。
新的3D闪存的架构、工艺、特征、机能等指标均未颁布,不外斟酌到旺宏电子以嵌入式范畴为主,典范产物不少都供给无人机、除颤器、腕表等行业产物,此次可能也雷同,更夸大不乱性和寿命,但不太可能在消费级SSD里见到。
旺宏电子建立于1989年,是全世界最大的只读存储器厂商,具有很是完备的产物线,重要以多种NOR闪存为主,也触及NAND闪存、eMMC闪存、ArmorFlash闪存、MCP多芯片封装、
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,ROM存储、晶圆代工等。
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