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標題: 台湾首次自主设计：旺宏电子48层3D NAND闪存即将出货 [打印本頁]

作者: admin 時間: 2019-12-18 17:06
標題: 台湾首次自主设计：旺宏电子48层3D NAND闪存即将出货
今朝，旺宏电子已出货的最先辈NAND闪存仍是2D平面型，用的19nm工艺，本年2月上市的。

新的3D闪存的架构、工艺、特征、机能等指去狐臭產品,标均未颁布，不外斟酌到旺宏电子以嵌入式范畴为主，典范产物不少都供给无人机、除颤百家樂,器高血脂治療,、腕表等行业产物，此次可能也雷同，更夸大不乱性和寿命，但不太可能在消费级SSD里见到。

旺宏电子建立于1989年，是全世界最大的只读存储器厂商，具有很是完备的产物线，重要以多种NOR闪存为主，也触及NAND闪存、eMMC闪存、ArmorFlash闪存、MCP多芯片封装、ROM存储、晶圆代工等。

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