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標題: 台湾首次自主设计：旺宏电子48层3D NAND闪存即将出货 [打印本頁]

作者: admin 時間: 2019-12-18 17:03
標題: 台湾首次自主设计：旺宏电子48层3D NAND闪存即将出货
原题目：台湾初次自立设计：旺宏电子48层3D NAND闪存行将出货

据悉，台湾非易失性存储厂商旺宏电子(Macronix)将在2020年下半年批量出货3D台北當舖, NAND闪存，成为台湾地域第一家拿出自立设计3D NAND闪存的厂商。

旺宏电子流露，首批出货的3D NAND闪存为48层重叠，并规划2021年出货9吸塵器,6层，2022年再出货192层，迫近世界顶级程度。——Intel将在来岁量产144层闪存。

今朝，旺宏电子已出货的最先辈NAND闪存仍是2D平面型，用的19nm工艺，本年2月上市的。

新的3D闪存的架构、工艺、特征、机能等指标均未颁布，不外斟酌到旺宏电子以嵌入式范畴为主，典范产物不少都供给台北借款, 无人机、除颤器、腕表等行业产物，此次可能也雷同，更夸大不乱性和寿命，但不太可能在消费级SSD里见到。

旺宏电子建立于1989年，是全世界最大的隆乳,只读存储器厂商，具有很是完备的产物线，重要以多种NOR闪存为主，也触及NAND闪存、eMMC闪存、ArmorFlash闪存、MCP多芯片封装、ROM存储、晶圆代工等。

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