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標題: 台湾首次自主设计:旺宏电子48层3D NAND闪存即将出货 [打印本頁]

作者: admin    時間: 2019-12-19 12:49
標題: 台湾首次自主设计:旺宏电子48层3D NAND闪存即将出货
今朝,旺宏电子已出货的最先辈NAND闪存仍是2D平面型,用的19nm工艺,本年2月上市的。

新的3D闪存的架构、工艺、特征、机能等指标均未颁布,不外斟酌到旺宏电子以嵌入式范畴为主,典范澎湖民宿推薦,产物消痔瘡茶,不少都供给无人机、除颤器、腕表等行业产物,此次可能也雷同,更夸大不乱性和寿命,但不太可能在消费级SSD里见到。

旺宏电子建立于1989年,是全世界最大的只读存储器厂商,具有很是完备的产物线,重要以多种NOR闪存为主,也触及NAND闪存、eMMC闪存、ArmorFlash闪存、MCP多芯片封装、ROM存储、晶圆代工等。




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